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产品参数 | |||
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型号 | IXTN200N10L2 | ||
封装 | 二极管模块 | ||
批号 | 新年份 | ||
数量 | 200 | ||
制造商 | IXYS | ||
产品种类 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安装风格 | Chassis Mount | ||
封装 / 箱体 | SOT-227-4 | ||
通道数量 | 1 Channel | ||
晶体管极性 | N-Channel | ||
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V | ||
Id-连续漏极电流 | 178 A | ||
Rds On-漏源导通电阻 | 11 mOhms | ||
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
Pd-功率耗散 | 830 W | ||
配置 | Single | ||
系列 | IXTN200N10 | ||
晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
正向跨导 - 最小值 | 90 S/55 S | ||
单位重量 | 30 g | ||
品牌 | IXYS/艾赛斯 |